RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設(shè)計的，于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
儀器采用了電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。如有需要可加配測試臺使用。
本儀器廣泛應用于太陽能單晶（多晶）生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測試，半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試。

RTS-2便攜式四探針測試儀測量范圍

電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；
方塊電阻：0.1～19999Ω/□；

RTS-2A測量范圍

電阻率：0.001～199.99Ω.cm；
方塊電阻：0.01～1999.9Ω/□；

RTS-2恒流源電流量程分為100μA、1mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

RTS-2A恒流源電流量程分為1mA、10mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表

量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；

四探針探頭基本指標：

間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應用參數(shù)

(見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測量相對誤差( 按JJG508-87進行)

1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

整機測量ZUI大相對誤差(用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%

整機測量標準不確定度≤5%

外型尺寸125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)

標準使用環(huán)境

溫度：23±2℃；
相對濕度：≤65%；
無高頻干擾；
無強光直射；